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二硅化鉭 Tantalum disilicide(TaSi2)
產品名稱:二硅化鉭(TaSi2) 規(guī)格:0.8-10um(D50)   形貌:不規(guī)則 顏色:黑灰色  特點:高硬度、高熔點、抗氧化以及優(yōu)良的導熱導電性能 用途:集成電路、航空航天、發(fā)動機等領域
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產品詳情
二硅化鉭 Tantalum disilicide(TaSi2)

產品名稱:二硅化鉭(TaSi2

規(guī)格:0.8-10um(D50)  

形貌:不規(guī)則

顏色:黑灰色 

特點:高硬度、高熔點、抗氧化以及優(yōu)良的導熱導電性能

用途:集成電路、航空航天、發(fā)動機等領域

名稱:硅化鉭

化學式: TaSi2

Cas:12067-56-0

熔點:2200℃

密度:9.14g/cm

硅化鉭的用途:
二硅化鉭具有高熔點、低電阻率、抗腐蝕、抗高溫氧化性以及與硅、碳等基本具有良好的兼容性等優(yōu)異性能。主要應用于電熱元件、高溫結構部件、柵材料、集成電路的連接線路、高溫抗氧化涂層、金屬陶瓷、陶瓷基復合材料及航天航空、發(fā)動機等多領域。
應用領域:1) 制備氮化硅-硅化鉭復合陶瓷材料。氮化硅-硅化鉭復合陶瓷材料由以下原料(按重量計)組成:92-98份氮化硅粉末、12-15份硅化鉭粉末、3-6份釹粉末和2-5份氧化銠粉末。
2) 對于硅化鉭涂層,所描述的方法包括使用10至120微米的粒度范圍,純度大于95wt%的硅化鉭粉末,使用真空等離子噴涂工藝或低壓等離子噴涂工藝將硅化鉭粉末噴涂在基底材料耐高溫表面的預處理中,等離子噴涂工藝參數為:等離子氣體Ar:30-50SLPM;等離子氣體H2:8-18 SLPM;粉末載氣Ar:1.55slpm;噴灑距離:100-350mm;噴灑功率:30-58kw;送粉量:8-30g·min-1;噴霧壓力:100-800mbar。
硅化鉭制備:
1.以金屬鉭和硅粉為原料,將金屬鉭和硅粉進行粉碎并混合均勻,再將其放入石墨爐內加熱至1100~1500℃進行預反應,然后通入氫氣,再升溫至800℃進行反應,即得硅化鉭。或者用氫化鈣還原五氧化二鉭得到氫化鉭,再加熱至1800℃得金屬鉭,然后加入硅粉合成得硅化鉭。
2.將Si和Ta混合物先預熱至350℃,然后升溫至1480℃,加熱反應。或令TaS2與SiHnX4-n在900℃下反應制得。
3.直接法 以金屬鉭和硅粉為原料制備硅化鉭,反應式如下。
首先將金屬鉭和硅粉進行粉碎并混合均勻,再將其放入石墨爐內加熱至1100~1500℃進行預反應,然后通入氫氣,再升溫至1800.℃進行均化反應1h,即得硅化鉭。

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